MEMS振蕩器怎樣提高頻率穩(wěn)定度

IC振蕩部分采用可編程鎖相環(huán)(PLL),將諧振器振出的頻率進行N倍頻，甚至是小數(shù)點倍頻；而為了避免硅片溫度引起的頻率漂移，電路采用了溫度補償。采用鎖相環(huán)倍頻方式達到將頻率變高，其相位噪聲不是很好。因此，在一些通信行業(yè)，全硅MEMS振蕩器將無法使用。對于利用可編程鎖相環(huán)（PLL）進行頻率倍頻，在石英振蕩器中，也同樣可以實現(xiàn)，諧振器部分采用石英晶片，IC振蕩部分采用可編程鎖相環(huán)（PLL）,同樣，可以實現(xiàn)“燒錄頻率”，縮短生產(chǎn)周期，并且在石英振蕩器行內(nèi)確實有這樣的產(chǎn)品。但是，還是一樣的缺點，不建議使用在通信行業(yè)，糾其原因，還是因為鎖相環(huán)引起的噪聲大，引起高速通信的設備因時鐘基準不穩(wěn)定，導致數(shù)據(jù)丟包，無法連接等問題。